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IRFBE30LPBF

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Artikelnummer
IRFBE30LPBF
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRFBE30LPBF.pdf
Gesamt:$3.23000
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(In US-Dollar)
1Stck
$3.23000

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Artikelnummer
IRFBE30LPBF
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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