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JANTX1N649

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Artikelnummer
JANTX1N649
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
JANTX1N649
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
400mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1V @ 400mA
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
50nA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package
DO-35
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C ~ 175°C

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