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IPW65R110CFDAFKSA1

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Artikelnummer
IPW65R110CFDAFKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPW65R110CFDAFKSA1.pdf
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(In US-Dollar)
1Stck
$8.84000

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Artikelnummer
IPW65R110CFDAFKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
31.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3240pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
277.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Paket / fall
TO-247-3

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