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BSB012NE2LXIXUMA1

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Artikelnummer
BSB012NE2LXIXUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSB012NE2LXIXUMA1.pdf
Gesamt:$0.98313
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Artikelnummer
BSB012NE2LXIXUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
170A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
82nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5852pF @ 12V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall
3-WDSON

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