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IPA80R310CEXKSA1

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Artikelnummer
IPA80R310CEXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPA80R310CEXKSA1.pdf
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Artikelnummer
IPA80R310CEXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
91nC @ 10V
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2320pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220 Full Pack
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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