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FDN358P

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Artikelnummer
FDN358P
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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$0.13467

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Artikelnummer
FDN358P
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.6nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
182pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SuperSOT-3
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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