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TSM10N80CZ C0G

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Artikelnummer
TSM10N80CZ C0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM10N80CZ C0G.pdf
Gesamt:$3.36000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$3.36000

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Artikelnummer
TSM10N80CZ C0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2336pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Paket / fall
TO-220-3

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