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IPB009N03LGATMA1

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Artikelnummer
IPB009N03LGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPB009N03LGATMA1.pdf
Gesamt:$1.93193
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(In US-Dollar)
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$1.93193

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Artikelnummer
IPB009N03LGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
227nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
25000pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-7-3
Paket / fall
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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