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DMHC3025LSDQ-13

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Artikelnummer
DMHC3025LSDQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMHC3025LSDQ-13.pdf
Gesamt:$0.43500
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(In US-Dollar)
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$0.43500

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Artikelnummer
DMHC3025LSDQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A, 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
590pF @ 15V
Leistung max
1.5W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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