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FCPF4300N80Z

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Artikelnummer
FCPF4300N80Z
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FCPF4300N80Z.pdf
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Artikelnummer
FCPF4300N80Z
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 160µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
355pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
19.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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