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FQP9N25CTSTU

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Artikelnummer
FQP9N25CTSTU
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FQP9N25CTSTU.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
FQP9N25CTSTU
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Paket / fall
TO-220-3

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