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TPC8115(TE12L,Q,M)

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Artikelnummer
TPC8115(TE12L,Q,M)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
Bleifreier Status / RoHS-Status
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Artikelnummer
TPC8115(TE12L,Q,M)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
115nC @ 5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9130pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOP (5.5x6.0)
Paket / fall
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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