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FCP360N65S3R0

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Artikelnummer
FCP360N65S3R0
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
SUPERFET3 650V TO220 PKG
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$1.05096
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$1.05096

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Artikelnummer
FCP360N65S3R0
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
SUPERFET3 650V TO220 PKG
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
730pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Paket / fall
TO-220-3

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