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IPD600N25N3GBTMA1

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Artikelnummer
IPD600N25N3GBTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPD600N25N3GBTMA1.pdf
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Artikelnummer
IPD600N25N3GBTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2350pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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