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PSMN1R0-25YLDX

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Artikelnummer
PSMN1R0-25YLDX
Hersteller
Nexperia
Beschreibung
PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PSMN1R0-25YLDX.pdf
Gesamt:$0.65257
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(In US-Dollar)
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$0.65257

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Artikelnummer
PSMN1R0-25YLDX
Hersteller
Nexperia
Beschreibung
PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.89 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
71.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5308pF @ 12V
FET-Funktion
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall
SC-100, SOT-669

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