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US1J M2G

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Artikelnummer
US1J M2G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
US1J M2G.pdf
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Artikelnummer
US1J M2G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 1A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
DO-214AC, SMA
Supplier Device Package
DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C

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