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IPD70R1K4CEAUMA1

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Artikelnummer
IPD70R1K4CEAUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPD70R1K4CEAUMA1.pdf
Gesamt:$0.29346
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
IPD70R1K4CEAUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 100V
FET-Funktion
Super Junction
Verlustleistung (max.)
53W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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