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TJ50S06M3L(T6L1,NQ

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Artikelnummer
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
50A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
124nC @ 10V
Vgs (Max)
+10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
6290pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK+
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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