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IRFR1018EPBF

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Artikelnummer
IRFR1018EPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRFR1018EPBF.pdf
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Artikelnummer
IRFR1018EPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
56A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D-Pak
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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