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BSM080D12P2C008

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Artikelnummer
BSM080D12P2C008
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
SIC POWER MODULE-1200V-80A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$308.11000
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(In US-Dollar)
1Stck
$308.11000

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Artikelnummer
BSM080D12P2C008
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
SIC POWER MODULE-1200V-80A
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 13.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 10V
Leistung max
600W
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
Module
Supplier Device Package
Module

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