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SQ3419EV-T1_GE3

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Artikelnummer
SQ3419EV-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQ3419EV-T1_GE3.pdf
Gesamt:$0.27120
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Artikelnummer
SQ3419EV-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.3nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
990pF @ 20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
6-TSOP
Paket / fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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