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NDD60N900U1-1G

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Artikelnummer
NDD60N900U1-1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
NDD60N900U1-1G.pdf
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Artikelnummer
NDD60N900U1-1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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