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IRFS5620PBF

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Artikelnummer
IRFS5620PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRFS5620PBF.pdf
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Artikelnummer
IRFS5620PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
144W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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