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TSM9ND50CI

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Artikelnummer
TSM9ND50CI
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
500V 9A 0.9O SINGLE N-CHANNEL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM9ND50CI.pdf
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(In US-Dollar)
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$1.63000

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Artikelnummer
TSM9ND50CI
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
500V 9A 0.9O SINGLE N-CHANNEL
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
24.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1116pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
ITO-220
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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