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NVMFD5873NLT1G

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Artikelnummer
NVMFD5873NLT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$1.09162
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(In US-Dollar)
1Stck
$1.09162

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Artikelnummer
NVMFD5873NLT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
30.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1560pF @ 25V
Leistung max
3.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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