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SI4914DY-T1-E3

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Artikelnummer
SI4914DY-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI4914DY-T1-E3.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
SI4914DY-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5.5A, 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
1.1W, 1.16W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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