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FQU1N80TU

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Artikelnummer
FQU1N80TU
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FQU1N80TU.pdf
Gesamt:$0.42573
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$0.42573

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Artikelnummer
FQU1N80TU
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.2nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
195pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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