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FCP290N80

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Artikelnummer
FCP290N80
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FCP290N80.pdf
Gesamt:$4.17000
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(In US-Dollar)
1Stck
$4.17000

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Artikelnummer
FCP290N80
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.7mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3205pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
212W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Paket / fall
TO-220-3

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