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SUD35N10-26P-GE3

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Artikelnummer
SUD35N10-26P-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SUD35N10-26P-GE3.pdf
Gesamt:$1.10950
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(In US-Dollar)
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$1.10950

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Artikelnummer
SUD35N10-26P-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 12V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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