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BA158GHB0G

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Artikelnummer
BA158GHB0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BA158GHB0G.pdf
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Artikelnummer
BA158GHB0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.2V @ 1A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package
DO-204AL (DO-41)
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C

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