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BSC500N20NS3GATMA1

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Artikelnummer
BSC500N20NS3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSC500N20NS3GATMA1.pdf
Gesamt:$0.81710
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(In US-Dollar)
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$0.81710

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Artikelnummer
BSC500N20NS3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 60µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1580pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8
Paket / fall
8-PowerTDFN

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