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RSM002N06T2L

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Artikelnummer
RSM002N06T2L
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 0.25A VMT3
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Artikelnummer
RSM002N06T2L
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 0.25A VMT3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
250mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
15pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
VMT3
Paket / fall
SOT-723

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