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RS1G180MNTB

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Artikelnummer
RS1G180MNTB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP
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Artikelnummer
RS1G180MNTB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
18A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
19.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1293pF @ 20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-HSOP
Paket / fall
8-PowerTDFN

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