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SI4966DY-T1-GE3

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Artikelnummer
SI4966DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI4966DY-T1-GE3.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
SI4966DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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