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IPP04CN10NG

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Artikelnummer
IPP04CN10NG
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPP04CN10NG.pdf
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Artikelnummer
IPP04CN10NG
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
210nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
13800pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Paket / fall
TO-220-3

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