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EDB4064B4PB-1D-F-R TR

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Artikelnummer
EDB4064B4PB-1D-F-R TR
Hersteller
Micron Technology
Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
EDB4064B4PB-1D-F-R TR.pdf
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Artikelnummer
EDB4064B4PB-1D-F-R TR
Hersteller
Micron Technology
Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
Teilestatus
Active
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße
4Gb (64M x 64)
Taktfrequenz
533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
-
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur
-30°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
216-WFBGA
Supplier Device Package
216-WFBGA (12x12)

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