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BUK7880-55A,115

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Artikelnummer
BUK7880-55A,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BUK7880-55A,115.pdf
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Artikelnummer
BUK7880-55A,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-223
Paket / fall
TO-261-4, TO-261AA

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