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SI2335DS-T1-GE3

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Artikelnummer
SI2335DS-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI2335DS-T1-GE3.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
SI2335DS-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
51 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1225pF @ 6V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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