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TSM070NB04CR RLG

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Artikelnummer
TSM070NB04CR RLG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM070NB04CR RLG.pdf
Gesamt:$0.34930
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$0.34930

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Artikelnummer
TSM070NB04CR RLG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
15A (Ta), 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2403pF @ 20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PDFN (5x6)
Paket / fall
8-PowerTDFN

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