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FDMD85100

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Artikelnummer
FDMD85100
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDMD85100.pdf
Gesamt:$1.55912
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(In US-Dollar)
1Stck
$1.55912

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Artikelnummer
FDMD85100
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.9 mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2230pF @ 50V
Leistung max
2.2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerWDFN
Supplier Device Package
8-Power 5x6

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