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1N6643US

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Artikelnummer
1N6643US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$9.75000
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$9.75000

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Artikelnummer
1N6643US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
300mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.2V @ 100mA
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
20ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
50nA @ 50V
Kapazität @ Vr, F
5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SQ-MELF, B
Supplier Device Package
D-5B
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C ~ 175°C

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