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SIA810DJ-T1-GE3

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Artikelnummer
SIA810DJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIA810DJ-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.44280
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.44280

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Artikelnummer
SIA810DJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
53 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 8V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 10V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paket / fall
PowerPAK® SC-70-6 Dual

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