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NTB082N65S3F

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Artikelnummer
NTB082N65S3F
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
SUPERFET3 650V D2PAK PKG
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Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$4.81904
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$4.81904

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Artikelnummer
NTB082N65S3F
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
82 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3410pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
313W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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