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FDD86252

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Artikelnummer
FDD86252
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDD86252.pdf
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Artikelnummer
FDD86252
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5A (Ta), 27A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
985pF @ 75V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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