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STF26NM60N-H

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Artikelnummer
STF26NM60N-H
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STF26NM60N-H.pdf
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Artikelnummer
STF26NM60N-H
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220FP
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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