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MT47H128M4CB-3:B

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Artikelnummer
MT47H128M4CB-3:B
Hersteller
Micron Technology
Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MT47H128M4CB-3:B.pdf
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Artikelnummer
MT47H128M4CB-3:B
Hersteller
Micron Technology
Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Teilestatus
Obsolete
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - DDR2
Speichergröße
512Mb (128M x 4)
Taktfrequenz
333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
15ns
Zugriffszeit
450ps
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur
0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
60-FBGA
Supplier Device Package
60-FBGA

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