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SI8466EDB-T2-E1

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Artikelnummer
SI8466EDB-T2-E1
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI8466EDB-T2-E1.pdf
Gesamt:$0.18755
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Artikelnummer
SI8466EDB-T2-E1
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 4V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
4-Microfoot
Paket / fall
4-UFBGA, WLCSP

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