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CSD25202W15T

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Artikelnummer
CSD25202W15T
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
CSD25202W15T.pdf
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Artikelnummer
CSD25202W15T
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.05V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)
-6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
9-DSBGA
Paket / fall
9-UFBGA, DSBGA

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