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MJD112-1G

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Artikelnummer
MJD112-1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.68000
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.68000

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Artikelnummer
MJD112-1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Teilestatus
Active
Transistortyp
NPN - Darlington
Stromabnehmer (Ic) (max.)
2A
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
100V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Leistung max
1.75W
Frequenz - Übergang
25MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package
I-PAK

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