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R6003KND3TL1

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Artikelnummer
R6003KND3TL1
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
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$0.65772

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Artikelnummer
R6003KND3TL1
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
185pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
44W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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